用高纯度锗单晶制作 PN 结，通过外加反偏压能使耗尽层的厚度达10mm以上，这样厚的耗尽层，可达到跟锂漂移型Ge辐射线传感器相同的检测效果。这种传感器容易维护，故Ge辐射线传感器已向高纯度型发展。